Các MOSFET Công suất HEXFET® tiên tiến từ International Rectifier sử dụng các kỹ thuật xử lý tiên tiến để đạt được diện tích silicon trên điện trở cực thấp. Lợi ích này, kết hợp với tốc độ chuyển mạch nhanh và thiết kế thiết bị phù hợp mà MOSFET cùng công suất HEXFET nổi tiếng, cung cấp cho nhà thiết kế một thiết bị cực kỳ hiệu quả và đáng tin cậy để sử dụng trong nhiều ứng dụng công nghiệp ở mức tiêu tán công suất đến xấp xỉ 50 watt. Khả năng chịu nhiệt thấp và chi phí đóng gói thấp của TO-220 góp phần cho sản phẩm được sử dụng ngày càng rộng rãi.
Thông số kỹ thuật:
Loại gói: TO-220
Loại transistor: Kênh N
Điện áp tối đa từ cực cổng đến cực nguồn phải là: ± 20V
Dòng xả tối đa xung là: 230A
Công suất tiêu tán tối đa là: 200W
Nhiệt độ lưu trữ và hoạt động phải là: -55 đến +175 độ C
Chi tiết thông số kỹ thuật: https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/68148/IRF/IRF3710.html
