MPSA42 là transistor NPN BJT được thiết kế cho các ứng dụng điện áp cao như chuyển mạch điện áp cao và khuếch đại điện áp cao. Điện áp cực góp cực phát của transistor là 300V rất lý tưởng để sử dụng trong các ứng dụng mà transistor BJT mục đích chung không thể được sử dụng vì hầu hết transistor BJT mục đích chung thông thường có điện áp cực góp cực phát tối đa là 100V. Hơn nữa, tính năng điện áp cực góp cực phát 300V cũng đáng tin cậy để sử dụng trong các mạch có nguy cơ dao động điện áp đột ngột.
Thông số kỹ thuật:
Loại gói: TO-92
Loại transistor: NPN
Dòng cực góp tối đa (IC): 500mA
Điện áp cực góp cực phát tối đa (VCE): 300V
Điện áp cực góp cực gốc tối đa (VCB): 300V
Điện áp cực phát cực gốc tối đa (VEBO): 6V
Tiêu tán cực góp tối đa (Pc): 625 mW
Tần số chuyển đổi tối đa (fT): 50 MHz
Độ lợi dòng điện DC tối thiểu và tối đa (hFE): 40
Nhiệt độ lưu trữ và hoạt động tối đa: -55 đến +150 độ C
Chi tiết thông số kỹ thuật: https://datasheet.lcsc.com/lcsc/1805282240_KEC-Semicon-MPSA42-AT-P_C125316.pdf
